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感应耦合等离子体刻蚀机结构Structure of inductively coupled plasma etcher
感应耦合等离子刻蚀机（InductivelyCoupledPlasmaEtch，简称ICPE）是化学过程和物理过程共同作用的结果。它的基本原理是在真空低气压下，ICP射频电源产生的射频输出到环形耦合线圈，以一定比例的混合刻蚀气体经耦合发布时间：2018-06-09 点击次数：433 -
CCTV: Chinas micro and medium enterprises officially announced to master the 5nm et...
不久前，央视报道了这样的一则消息，中微半导体设备公司将在今年年底正式敲定5nm刻蚀机!而刚刚发布的苹果A11芯片以及华为的麒麟970均是使用10nm工艺。当所有的巨头还在为10nm，7nm技术大肆进军的时候，中国中微正式宣布掌握5nm技术，发布时间：2018-06-02 点击次数：184 -
Precautions for use and routine maintenance of c406 magnetron sputtering equipmentC...
C406磁控溅射台设备使用及日常保养注意事项一、注意事项（一）系统1)实验前勿忘通水。2)机械泵必须在开分子泵之前开，在分子泵关掉15分钟后再关机械泵。3)在开阀V3前，检查充气阀V4是否关闭。4)阀V3开启后，若有工作异常，应立即发布时间：2018-05-26 点击次数：181 -
High density plasma etching is a key step in VLSI manufacturing高密度等离子体...
高密度等离子刻蚀机是当今超大规模集成电路制造过程中的关键步骤。已经开发出许多终点检测技术，终点检测设备就是为实现刻蚀过程的实时监控而设计的。光学发射光学发射光谱法（OES）是使用最为广泛的终点检测手段。其原理是利用检测等离子体中某种反应性化发布时间：2018-05-19 点击次数：208 -
如何操作微波等离子去胶机？How to operate microwave plasma degummer?
微波等离子去胶机操作规程： 1、自动切割小车应经空车运转，并选定切割速度； 2、使用钍、钨电极应符合JGJ33-2001第12.7.8条规定； 3、高频发生器应设有屏蔽护罩，用高频引弧后，应立即切断高频电路； 4、应检查并确认电源发布时间：2018-05-12 点击次数：266 -
小型等离子去胶机在工作时的表现Performance of small plasma degummer in operation
小型等离子干法去胶机与其他普通去胶机相比，体积更小、性能优良、用途广泛、效率高、价格低、使用方便。除此之外，小型等离子去胶机还具有十分优秀的均匀性和重复性，因此在各个科研单位和企业中都有十分广泛的应用，而且除了可以进行RIE刻蚀之外，还发布时间：2018-05-05 点击次数：205 -
等离子刻蚀机的缺点？Disadvantages of plasma etcher?
1、硅片水平运行，机片高（等离子刻蚀去PSG槽式浸泡甩干，硅片受冲击小）；2、下料吸笔易污染硅片（等离子刻蚀去PSG后甩干）；3、传动滚抽易变形（PVDF，PP材质且水平放置易变形）；4、成本高（化学品刻蚀代替等离子刻蚀成本增加）。此外，发布时间：2018-04-28 点击次数：164 -
快速退火炉维修注意事项：Precautions for maintenance of rapid annealing furnace：
1.快速退火炉子首次使用或长时间不用后，要在120℃左右烘烤1小时，在300℃左右烘烤2小时后使用，以免造成炉膛开裂。炉温尽量不要超过额定温度，以免损坏加热元件及炉衬。禁止向炉膛内直接灌注各种液体及溶解金属，保持炉内的清洁。2.炉膛若采发布时间：2018-04-21 点击次数：199 -
Study on the properties of aluminum plating by electron beam evaporation and magn...
随着科学技术的不断发展，半导体器件的种类不断增多。原始点接触晶体管、合金晶体管、合金扩散晶体管、台面晶体管、硅平面晶体管、TTL集成电路和N沟硅栅平面MOS集成电路等，其制造工艺及工艺之间的各道工序也有所差别。在硅平面晶体管工艺过程中，电极发布时间：2018-04-14 点击次数：407 -
什么是全自动型磁控溅射台?What is a fully automatic magnetron sputtering table?
什么是全自动型磁控溅射台?磁控溅射是为了在低气压下进行高速溅射，必须有效地提高气体的离化率。通过在靶阴极表面引入磁场，利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率的方法,全自动型磁控溅射台,通过对真空系统,下游压力闭环控制,射频发布时间：2018-04-08 点击次数：276 -
带RIE等离子刻蚀机处理模式介绍The introduction of processing mode of plasma etching machine with RIE
带RIE等离子刻蚀机是干法刻蚀中最常见的一种形式，其原理是暴露在电子区域的气体形成等离子体，由此产生的电离气体和释放高能电子组成的气体，从而形成了等离子或离子，电离气体原子通过电场加速时，会释放足够的力量与表面驱逐力紧紧粘合发布时间：2018-03-31 点击次数：154 -
Chinese etching machine has successfully killed Japan and South Korea,...
随着科技技术发展，电子设备小型化的趋势愈发明显，而所有电子设备核心中的核心芯片技术工艺水平更是需要精确到纳米级别，同时也是目前世界各国为之竞争的焦点。而众所周知，长久以来，我国芯片领域都严重依赖于进口，每年为此付出千亿美元进口美日产品，甚至发布时间：2018-03-28 点击次数：212